大型基板UVLED曝光系統
ALE/2 — UV-LED曝光系統
Product Advantages and Features
- 內置解決方案可實現最大曝光效率和性能
- 高達70W的i-line曝光（CWL 365 nm）
- 高達80W的寬帶曝光（350-450 nm）
- 閉環控制光輸出
- LED工藝穩定性和TCO優勢
- 無需外部冷卻
- 無汞！節能環保的LED光源
代替超高功率汞燈的LED光源
ALE/2曝光光源提供350-450nm範圍內的窄帶和寬帶紫外輻射輸出。
虹科 ALE/2 的窄帶輸出功率高達 70W ，寬帶輸出功率高達 80W ，完全可替代高功率放電汞燈
分布式設計集成
ALE/2 曝光光源遵循分布式設計方法，通常由一個控制子系統 (CSS) 和一個單獨的曝光子系統 (ESS) 組成，ESS可直接接入到曝光系統中。
控制子系統 (CSS)
- 可用作 4U 19 英寸機架安裝系統
- 包括電源、冷卻系統和外部接口
曝光子系統(ESS)
- 創新的光學設計可直接集成到曝光設備中
- 包括 i、h和 g線發射器，以及 LED 驅動器
基本參數信息
365 / 405 /436 nm
Radiation [W]
ALE2 | i-line | Broadband |
標準模式 | 35 | 80 |
性能模式 | 38 | 90 |
汞弧燈
1,000 W | 20 | 40 |
5,000 W | 75 | 150 |
4 NUV-LEDs：365 nm
Radiation [W]
ALE2 | i-line |
標準模式 | 70 |
性能模式 | 80 |
汞弧燈
1,000 W | 20 |
5,000 W | 75 |
中心發射波長: 367.5±2.5 nm, 387.5±2.5 nm, 402.5±2.5 nm, and 435.0±2.5 nm.
輸出功率可能會有±10%誤差.
System Parameters and Specifications
發射波長選擇 | 4 LEDs with CWL 365 nm, 385 nm, 405 nm, and 436 nm |
Numerical Aperture | 標準聚光器下：NA 0.3 (2α ~35°) |
輸出控制 | + 單一LED電源管理與預設 |
通訊介面 | + 離散PLC介面（TTL） |
熱管理 | + 內部散熱器的液體冷卻 |
Size (WHD) | ESS 21 X 21 X 36 cm (8.3 X 8.3 X 14.2″) |
weights | ESS 4 kg (9 lbs) |
電池供應 | 110 – 240 VAC / 50 – 60 Hz / 1,500 W |
